Antimony Telluride Sb2Te3 | Al2Te3 As2Te3 Bi2Te3 Ga2Te3 3N 4N 5N Featured Image

Сурьма теллуриді Sb₂Te₃|Әл₂Te₃ As₂Te₃ Bi₂Te₃ Ga₂Te₃3N 4N 5N

Сипаттама

Сурьма теллюридіSb₂Te₃, периодтық жүйедегі VA, VIA тобындағы элементтердің қосылыс жартылай өткізгіші.Алтыбұрышты-Ромбоэдрлік құрылымымен, тығыздығы 6,5г/см³, балқу температурасы 620^oC, диапазон 0,23эВ, CAS 1327-50-0, MW 626,32, ол азот қышқылында ериді және қышқылдармен үйлеспейді, суда ерімейді және жанбайтын тұрақтылық.Сурьма теллюриді металлоидты трихалкогенидтер тобына жатады-15, Sb₂Te₃кристалдардың типтік бүйір өлшемі, тікбұрышты пішіні және металдық көрінісі бар, қабаттар ван-дер-Ваальс әрекеттесулері арқылы біріктірілген және жұқа 2D қабаттарға қабыршақтануы мүмкін.Бридгман әдісімен дайындалған сурьма теллюриді жартылай өткізгіш, топологиялық оқшаулағыш және термоэлектрлік материал, күн батареясының материалдары, вакуумды булану болып табылады.Сонымен бірге, Сб2Te3жоғары өнімділік фазалық өзгерту жады немесе оптикалық деректерді сақтау қолданбалары үшін маңызды базалық материал болып табылады.Теллуридті қосылыстар электролит материалы, жартылай өткізгіш қоспасы, QLED дисплейі, IC өрісі және т.б. және басқа да материалдық өрістер ретінде көптеген қолданбаларды табады.

Жеткізу

Сурьма теллуриді Sb₂Te₃және алюминий теллуриді Al₂Te₃, мышьяк теллуриді сияқты₂Te₃, Висмут Теллурид Би₂Te₃, Галлий теллурид Ga₂Te₃Western Minmetals (SC) корпорациясында 4N 99,99% және 5N 99,999% тазалығы ұнтақ түрінде -60меш, -80меш, түйіршік 1-6мм, кесек 1-20мм, кесек, көлемді кристал, өзек және субстрат т.б. немесе тапсырыс бойынша қол жетімді. мінсіз шешімге жету үшін спецификация.

Қазір сұрау

Егжей

Тегтер

Техникалық спецификация

Теллуридті қосылыстар

Теллуридті қосылыстарқосылыс негізіндегі қатты ерітінді түзетін стехиометриялық құрамы белгілі бір диапазонда өзгеретін металл элементтері мен металлоидты қосылыстарға жатады.Металаралық қосылыс металл мен керамика арасындағы тамаша қасиеттерге ие және жаңа құрылымдық материалдардың маңызды саласына айналады.Сурьманың теллуридті қосылыстары Telluride Sb₂Te₃, алюминий теллуриді Al₂Te₃, мышьяк теллуриді сияқты₂Te₃, Висмут Теллурид Би₂Te₃, кадмий теллуриді CdTe, кадмий цинк теллуриді CdZnTe, кадмий марганец теллуриді CdMnTe немесе CMT, мыс теллуриді Cu₂Те, галлий теллурид Га₂Te₃, германий теллуриді GeTe, индий теллуриді InTe, қорғасын теллуриді PbTe, молибден теллуриді MoTe₂, Вольфрам теллуриді WTe₂және оның (Li, Na, K, Be, Mg, Ca) қосылыстары және сирек жер қосылыстары ұнтақ, түйіршік, кесек, бар, субстрат, сусымалы кристал және монокристалл түрінде синтезделеді ...

Жоқ.	Элемент	Стандартты спецификация
Жоқ.	Элемент	Формула	Тазалық	Өлшем және орау
1	Мырыш теллуриді	ZnTe	5N	-60 тор, -80 тор ұнтақ, 1-20 мм дұрыс емес кесек, 1-6 мм түйіршік, нысана немесе дайындама. 500 г немесе 1000 г полиэтилен бөтелкеде немесе композиттік пакетте, сыртында картон қорапта. Теллуридті қосылыстар құрамы сұраныс бойынша қол жетімді. Арнайы спецификация мен қолданбаны тамаша шешім үшін теңшеуге болады
2	Мышьяк теллуриді	As₂Te₃	4N 5N
3	Сурьма теллюриді	Sb₂Te₃	4N 5N
4	Алюминий теллюриді	Al₂Te₃	4N 5N
5	Висмут теллюриді	Bi₂Te₃	4N 5N
6	Мыс теллуриді	Cu₂Te	4N 5N
7	Кадмий теллюриді	CdTe	5N 6N 7N
8	Кадмий мырыш теллуриді	CdZnTe, CZT	5N 6N 7N
9	Кадмий марганец теллуриді	CdMnTe, CMT	5N 6N
10	Галий теллуриді	Ga₂Te₃	4N 5N
11	Германий теллуриді	GeTe	4N 5N
12	Индий теллуриді	InTe	4N 5N
13	Қорғасын теллурид	PbTe	5N
14	Молибден теллюриді	MoTe₂	3N5
15	Вольфрам теллюриді	WTe₂	3N5

Алюминий теллюриді

Алюминий теллуриді Al₂Te₃немесеДиалюминий тритурийі, CAS 12043-29-7, МВт 436,76, тығыздығы 4,5 г/см³, иісі жоқ, сұр-қара алтыбұрышты кристалды, бөлме температурасында тұрақты, бірақ ылғалды ауада теллурид сутегі мен алюминий гидроксидіне ыдырайды.Алюминий теллуриді Al₂Te₃,1000°С-та Al және Te әрекеттесу арқылы түзілуі мүмкін, Al-Te екілік жүйесінде AlTe, Al аралық фазалары бар.₂Te₃(α-фаза және β-фаза) және Al₂Te₅, α- Al-ның кристалдық құрылымы₂Te₃моноклиникалық болып табылады.Алюминий теллуриді Al₂Te₃негізінен фармацевтикалық шикізат, жартылай өткізгіш және инфрақызыл материал үшін қолданылады.Алюминий теллуриді Al₂Te₃Western Minmetals (SC) корпорациясында 4N 99,99% және 5N 99,999% тазалығы ұнтақ, түйіршік, кесек, кесек, сусымалы кристал және т.б. түрінде немесе бөтелкедегі немесе композиттік қапшықтағы вакуумды орамдағы жеке сипаттама ретінде қол жетімді.

Мышьяк теллуриді

Мышьяк теллуриді немесе мышьяк дителлюриді сияқты₂Te₃, I-III тобының екілік қосылысы екі кристаллографиялық Альфа-А-да болады₂Te₃және Бета-Ас₂Te₃, олардың арасында Beta-As₂Te₃ромбоэдрлік құрылымы бар, қорытпалардың мазмұнын реттеу арқылы қызықты термоэлектрлік (ТЭ) қасиеттерді көрсетеді.Поликристалды мышьяк теллуриді сияқты₂Te₃ұнтақ металлургиясы арқылы синтезделген қосылыс жоғары тиімділікпен жаңа TE материалдарын жобалау үшін қызықты платформа болуы мүмкін.As2Te3 монокристалдары HCl 25% масса/салмағындағы ерітіндідегі ұнтақ тәрізді As және Te стехиометриялық мөлшерлерінің қоспасын қыздыру және бірте-бірте салқындату арқылы гидротермиялық жолмен дайындалады.Ол негізінен жартылай өткізгіштер, топологиялық изоляторлар, термоэлектрлік материалдар ретінде қолданылады.Мышьяк теллуриді сияқты₂Te₃Western Minmetals (SC) корпорациясында 99,99% 4N, 99,999% 5N тазалығымен ұнтақ, түйіршік, кесек, кесек, көлемді кристалл т.б. түрінде немесе арнайы сипаттама ретінде жеткізілуі мүмкін.

Висмут теллюриді

Висмут теллурид би₂Te₃, P түрі немесе N-түрі, CAS No 1304-82-1, MW 800,76, тығыздығы 7,642 г/см³, балқу температурасы 585⁰C, вакуумды балқыту арқылы басқарылатын кристалдану процесі, атап айтқанда Бридгман-Стокбарбер әдісі және аймақтық қалқымалы әдіс арқылы синтезделеді.Термоэлектрлік жартылай өткізгіш материал ретінде, висмут теллюриді жалған екілік қорытпасы кең спектрлі жабдықтар мен ғарыштық көліктерде энергия өндіруде миниатюрленген әмбебап салқындату құрылғылары үшін бөлме температурасындағы термоэлектрлік салқындату қолданбалары үшін ең жақсы сипаттамаларды ұсынады.Поликристалды емес, сәйкес бағытталған монокристалдарды пайдалану арқылы термоэлектрлік құрылғының (термоэлектрлік салқындатқыш немесе термоэлектрлік генератор) тиімділігін айтарлықтай арттыруға болады, оны жартылай өткізгішті тоңазытқышта және температура айырмашылығында қуат өндіруде, сонымен қатар оптоэлектрондық құрылғылар мен Bi2Te3 th үшін құруға болады. фильм материалы.Висмут теллурид би₂Te₃Western Minmetals (SC) корпорациясында 4N 99,99% және 5N 99,999% тазалықпен жеткізілетін ұнтақ, түйіршік, кесек, өзек, субстрат, сусымалы кристал және т.б. өлшемдері бар.

Галий теллуриді

Галлий теллурид Ga₂Te₃МВт 522,24, CAS 12024-27-0, балқу температурасы 790 ℃ және тығыздығы 5,57 г/см болатын қатты және сынғыш қара кристалл.³.Жалғыз кристалды Gallium Telluride GaTe дән өлшемін, ақау концентрациясын, құрылымдық, оптикалық және электрондық консистенцияны оңтайландыру үшін Bridgman Growth, Chemical Vapor Transport CVT немесе Flux Zone Growth сияқты әртүрлі өсіру әдістерін қолдану арқылы әзірленген.Бірақ Flux Zone техникасы шын мәнінде жартылай өткізгіш дәрежесі vdW кристалдарын синтездеу үшін қолданылатын галогенсіз әдіс болып табылады, ол мінсіз атом құрылымы үшін баяу кристалдануды және қоспасыз кристаллдың өсуін қамтамасыз ету үшін химиялық буларды тасымалдау CVT техникасынан ерекшеленеді.Gallium Telluride GaTe – екі модификациясы бар III-VI металл қосылыс кристалына жататын, құрылымы бойынша тұрақты α-GaTe және β-GaTe гексагональды метатұрақты, р-типті жақсы тасымалдау қасиеттері, тікелей жолағы бар қабатты жартылай өткізгіш. көлемді саңылау 1,67 эВ, гексагональды фаза жоғары температурада моноклиникалық фазаға ауысады.Галлий теллуриді қабатты жартылай өткізгіш болашақ оптоэлектрондық қолданбалар үшін тартымды қызықты қасиеттерге ие.Галий теллуриді Ga₂Te₃Western Minmetals (SC) корпорациясында тазалығы 99,99% 4N, 99,999% 5N ұнтақ, түйіршік, кесек, кесек, өзекше, көлемді кристалл және т.б. түрінде немесе тапсырыс бойынша тапсырыс бойынша жеткізілуі мүмкін.