Кремний карбиді SiC

Сипаттама

Силикон карбиді пластина SiC, MOCVD әдісімен кремний мен көміртектің өте қатты, синтетикалық жолмен алынған кристалды қосылысы және экспонаттароның бірегей кең диапазоны және жылу кеңеюінің төмен коэффициентінің басқа қолайлы сипаттамалары, жоғары жұмыс температурасы, жақсы жылу диссипациясы, төмен коммутация және өткізгіштік жоғалтулар, анағұрлым энергияны үнемдеу, жоғары жылу өткізгіштік және күшті электр өрісінің бұзылу күші, сондай-ақ көбірек шоғырланған токтар жағдай.Western Minmetals (SC) корпорациясындағы Silicon Carbide SiC диаметрі 2″ 3' 4“ және 6″ (50мм, 75мм, 100мм, 150мм) өлшемде, өнеркәсіптік үшін n-типті, жартылай оқшаулағыш немесе бос пластинкамен қамтамасыз етілуі мүмкін. және зертханалық қолдану. Кез келген теңшелген спецификация бүкіл әлем бойынша тұтынушыларымызға тамаша шешімге арналған.

Қолданбалар

Жоғары сапалы 4H/6H Silicon Carbide SiC пластинасы Шоттки диодтары және SBD, жоғары қуатты коммутациялық MOSFET және JFET және т. Сондай-ақ оқшауланған биполярлы транзисторлар мен тиристорларды зерттеу мен әзірлеуде қажет материал.Жаңа буынның көрнекті жартылай өткізгіш материалы ретінде Silicon Carbide SiC пластинасы сонымен қатар жоғары қуатты жарықдиодты компоненттерде тиімді жылу таратқыш немесе болашақ мақсатты ғылыми зерттеулердің пайдасына GaN қабатын өсіру үшін тұрақты және танымал субстрат ретінде қызмет етеді.

Қазір сұрау

Егжей

Тегтер

Техникалық спецификация

Кремний карбиді SiC

Кремний карбиді SiCWestern Minmetals (SC) корпорациясында диаметрі 2″ 3' 4“ және 6″ (50мм, 75мм, 100мм, 150мм) өлшемінде, өнеркәсіптік және зертханалық қолдану үшін n-типті, жартылай оқшаулағыш немесе күмбезді пластинамен қамтамасыз етілуі мүмкін. .Кез келген теңшелген спецификация бүкіл әлем бойынша тұтынушыларымызға тамаша шешімге арналған.

Сызықтық формула	SiC
Молекулалық салмақ	40.1
Кристалл құрылымы	Вурцит
Сыртқы түрі	Қатты
Еру нүктесі	3103±40К
Қайнау нүктесі	Жоқ
Тығыздығы 300K	3,21 г/см³
Энергия алшақтығы	(3,00-3,23) эВ
Меншікті кедергі	>1E5 Ом-см
CAS нөмірі	409-21-2
EC нөмірі	206-991-8

Жоқ.	Элементтер	Стандартты спецификация
1	SiC мөлшері	2"	3"	4"	6"
2	Диаметрі мм	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Өсу әдісі	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Өткізгіштік түрі	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Меншікті кедергі Ω-см	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Бағдарлау	0°±0,5°;4,0° <1120> қарай
7	Қалыңдығы мкм	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Бастапқы жалпақ орналасу	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Негізгі жалпақ ұзындығы мм	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	Қосымша тегіс орналасу	Кремний беті жоғары: 90°, бастапқы тегіс ±5,0° бастап сағат тілімен
11	Қосымша жалпақ ұзындығы мм	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV мкм макс	15	15	15	15
13	Садақ мкм макс	40	40	40	40
14	Бұзу мкм макс	60	60	60	60
15	Жиектерді алып тастау мм макс	1	2	3	3
16	Микроқұбырдың тығыздығы см-2	<5, өнеркәсіптік;<15, зертханалық;<50, манекен
17	Дислокация см-2	<3000, өнеркәсіптік;<20000, зертханалық;<500000, манекен
18	Бетінің кедір-бұдырлығы nm макс	1 (жылтыратылған), 0,5 (CMP)
19	Жарықтар	Жоқ, өнеркәсіптік деңгей үшін
20	Алтыбұрышты тақталар	Жоқ, өнеркәсіптік деңгей үшін
21	Сызаттар	≤3мм, жалпы ұзындығы субстрат диаметрінен аз
22	Жиек чиптері	Жоқ, өнеркәсіптік деңгей үшін
23	Қаптама	Алюминий композиттік қапшықта тығыздалған жалғыз вафельді контейнер.

Кремний карбиді SiC 4H/6Hжоғары сапалы пластинка Шоттки диодтары және SBD, жоғары қуатты коммутациялық MOSFET және JFET және т.б. сияқты ең озық, жылдам, жоғары температура мен жоғары вольтты электронды құрылғыларды өндіру үшін өте қолайлы. Ол сондай-ақ қажетті материал болып табылады. оқшауланған биполярлы транзисторлар мен тиристорларды зерттеу және әзірлеу.Жаңа буынның көрнекті жартылай өткізгіш материалы ретінде Silicon Carbide SiC пластинасы сонымен қатар жоғары қуатты жарықдиодты компоненттерде тиімді жылу таратқыш немесе болашақ мақсатты ғылыми зерттеулердің пайдасына GaN қабатын өсіру үшін тұрақты және танымал субстрат ретінде қызмет етеді.