Галий фосфиді GaP

Сипаттама

Галлий фосфиді GaP, басқа III-V қосылыс материалдары сияқты бірегей электрлік қасиеттерінің маңызды жартылай өткізгіші, термодинамикалық тұрақты текше ZB құрылымында кристалданады, 2,26 эВ (300К) жанама жолақ саңылауы бар сарғыш-сары жартылай мөлдір кристалды материал болып табылады. 6N 7N жоғары таза галий мен фосфордан синтезделіп, сұйық инкапсулирленген Чохральски (LEC) әдісімен монокристалға айналдырылды.Галлий фосфиді кристалы n-типті жартылай өткізгішті алу үшін күкірт немесе теллур қосындысы, ал оптикалық жүйеде, электронды және басқа оптоэлектроника құрылғыларында қолданылатын қалаған пластинаны одан әрі дайындау үшін p-типті өткізгіштік ретінде мырыш қосылды.Жалғыз Crystal GaP пластинасын LPE, MOCVD және MBE эпитаксиалды қолдану үшін Epi-Ready дайындауға болады.Western Minmetals (SC) корпорациясында жоғары сапалы монокристалды Галлий фосфиді GaP пластинасы p-типті, n-типті немесе қоспасыз өткізгіштік 2″және 3” (50мм, 75мм диаметрі), бағдары <100>,<111 өлшемде ұсынылуы мүмкін. > кесілген, жылтыратылған немесе эпиляцияға дайын процестің бетімен.

Қолданбалар

Төмен ток және жарық шығаруда жоғары тиімділікпен Галлий фосфиді GaP пластинасы арзан қызыл, қызғылт сары және жасыл жарық шығаратын диодтар (жарық диодтары) және сары және жасыл СКД артқы жарығы және т. төмен және орташа жарықтық, GaP сонымен қатар инфрақызыл сенсорлар мен бақылау камераларын өндіру үшін негізгі субстрат ретінде кеңінен қолданылады.

Қазір сұрау

Егжей

Тегтер

Техникалық спецификация

Галий фосфиді GaP

Western Minmetals (SC) корпорациясында жоғары сапалы монокристалды Галлий Фосфиді GaP пластинасы немесе субстрат p-типі, n-типі немесе қоспасыз өткізгіштігі диаметрі 2″ және 3” (50мм, 75мм), бағдары <100> ұсынылуы мүмкін. , <111> алюминий композиттік қапшықта тығыздалған жалғыз вафельді контейнерде немесе тамаша шешімге бейімделген спецификация ретінде кесілген, сырланған, оюланған, жылтыратылған, эпи-дайын өңделген беті бар.

Жоқ.	Элементтер	Стандартты спецификация
1	GaP өлшемі	2"
2	Диаметрі мм	50,8 ± 0,5
3	Өсу әдісі	LEC
4	Өткізгіштік түрі	P-түрі/Zn-қоспаланған, N-түрі/(S, Si,Te)-қоспаланған, қоспасыз
5	Бағдарлау	<1 1 1> ± 0,5°
6	Қалыңдығы мкм	(300-400) ± 20
7	Меншікті кедергі Ω-см	0,003-0,3
8	Бағыт жазық (OF) мм	16±1
9	Сәйкестендіру тегіс (IF) мм	8±1
10	Холл қозғалғыштығы см2/Вс мин	100
11	Тасымалдаушы концентрациясы см^-3	(2-20) E17
12	Дислокацияның тығыздығы см^-2макс	2.00E+05
13	Беттік әрлеу	P/E, P/P
14	Қаптама	Алюминий композиттік қапшықта тығыздалған жалғыз вафельді контейнер, сыртында картон қорап

Сызықтық формула	GaP
Молекулалық салмақ	100.7
Кристалл құрылымы	Мырыш қоспасы
Сыртқы түрі	Апельсин қатты
Еру нүктесі	Жоқ
Қайнау нүктесі	Жоқ
Тығыздығы 300K	4,14 г/см³
Энергия алшақтығы	2,26 эВ
Меншікті кедергі	Жоқ
CAS нөмірі	12063-98-8
EC нөмірі	235-057-2

Галий фосфиді GaP вафли, төмен токпен және жарық шығаруда жоғары тиімділікпен, арзан қызыл, қызғылт сары және жасыл жарық шығаратын диодтар (жарық диодтары) және сары және жасыл СКД артқы жарығы және т. жарықтық, GaP сонымен қатар инфрақызыл сенсорлар мен бақылау камераларын өндіру үшін негізгі субстрат ретінде кеңінен қолданылады.