Кадмий марганец теллуриді CdMnTe 5N

Сипаттама

Кадмий марганец теллуриді CdMnTe немесе CMT99,999% 5N тазалығы, (Cd_0,8-0,9Mn_0,1-0,2Те, CD_0,63Mn_0,37Te немесе басқа атомдық қатынас Cd_1-xMn_xTe), кадмий, марганец және теллурдың синтезделген қосылысы болып табылады және гексагональды құрылымға кристалданады.Кадмий марганец теллуриді CdMnTe (Cd_1-xMn_xTe) бөлме температурасындағы рентгендік және гамма-сәулелерді анықтауға арналған перспективалық материал болып табылады.FZM модификацияланған қалқымалы аймақ әдісі немесе Жылжымалы қыздырғыш әдісі THM немесе Vertical Bridgman VB әдістері арқылы өсірілген 1,7-2,2 эВ жартылай өткізгіш кристалы кең диапазонында ол жоғары кедергіге, үлкен көлемді монокристалға және жоғары деңгейге жетеді. мобильділік-өмір бойы кристалы, ол әр түрлі Mn осьтік таралуын, қоспа концентрациясын, меншікті кедергісін, ақаусыз, Холл эффектілерін және энергия реакциясының спектрлерін сипаттайды.THM өсірілген кристалының өткізгіштігі әлсіз N-типті және VB P-типті.Western Minmetals (SC) корпорациясында 99,999% 5Н тазалығы бар кадмий марганец теллуриді ұнтақ, түйіршік, кесек 1-20 мм кесек, кесек, D32, D50 дискі және вакуумды композитті алюминий қап пакеті бар бар түрінде немесе арнайы сипаттама ретінде жеткізілуі мүмкін. тамаша шешімге жету үшін.вакуумды композиттік алюминий қап пакетімен.

Қолданбалар

Жалғыз кадмий-марганец-теллюрид кристалы сонымен қатар ұзағырақ толқын ұзындығындағы оптикалық изолятор үшін тиімді материал ретінде Pockels және үлкен Фарадей әсерлерін көрсетеді, ол инфрақызыл детекторлар, күн батареялары сияқты көптеген маңызды құрылғылар үшін негіз болатын сұйылтылған магниттік жартылай өткізгіш материал болып табылады. , магнит өрісінің сенсоры, көрінетін және жақын ИК лазерлері және фотовольтаикалық пленка ұяшығы, электро-оптикалық модулятор және басқа оптикалық фотовольтаикалық материал үшін қолданылады.Жалпы, ол CdZnTe-ге қарағанда бірнеше әлеуетті артықшылықтарды және белгілі CdZnTe детекторларына балама детекторлық материал ретінде мәндерді ұсынады.