Индий арсениді InAs

Сипаттама

Индий арсениді InAs кристалы - кем дегенде 6N 7N таза индий және мышьяк элементімен синтезделген және VGF немесе сұйық инкапсулирленген Чохральски (LEC) процесі арқылы өсірілген монокристалды, сұр түсті сыртқы түрі, мырышпен ағып жатқан текше кристалдармен синтезделген III-V тобындағы күрделі жартылай өткізгіш. , балқу температурасы 942 °C.Индий арсенидінің жолақ саңылауы галлий арсенидіне ұқсас тікелей өту болып табылады және тыйым салынған жолақ ені 0,45эВ (300К) құрайды.InAs кристалы электрлік параметрлердің жоғары біркелкілігіне, тұрақты торға, жоғары электрондардың қозғалғыштығына және төмен ақаулық тығыздығына ие.VGF немесе LEC арқылы өсірілген цилиндрлік InAs кристалын кесуге, кесуге, жылтыратуға немесе MBE немесе MOCVD эпитаксиалды өсуіне дайын пластинаға кесуге және жасауға болады.

Қолданбалар

Индий арсенидінің кристалды пластинасы Холл құрылғыларын және магнит өрісінің сенсорын жасау үшін тамаша субстрат болып табылады, бірақ оның ең жоғары мобильділігі үшін, бірақ тар энергетикалық диапазон, жоғары қуатты қолданбаларда қолданылатын толқын ұзындығы 1-3,8 мкм болатын инфрақызыл детекторларды құру үшін тамаша материал. бөлме температурасында, сондай-ақ орташа толқын ұзындығы инфрақызыл суперторлы лазерлер, 2-14 мкм толқын ұзындығы диапазоны үшін орта инфрақызыл жарықдиодты құрылғыларды жасау.Сонымен қатар, InAs гетерогенді InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb немесе AlGaSb супер тор құрылымын одан әрі қолдау үшін тамаша субстрат болып табылады.

Қазір сұрау

Егжей

Тегтер

Техникалық спецификация

Индий арсениді

InAs

Индий арсенидті кристалды вафельХолл құрылғыларын және магнит өрісінің сенсорын жасау үшін тамаша субстрат, оның жоғары холл ұтқырлығы, бірақ тар энергетикалық диапазон, бөлме температурасында жоғары қуатты қолданбаларда қолданылатын толқын ұзындығы 1–3,8 мкм болатын инфрақызыл детекторларды құру үшін тамаша материал, сондай-ақ орташа толқын ұзындығы инфрақызыл супер торлы лазерлер, 2-14 мкм толқын ұзындығы диапазоны үшін орта инфрақызыл жарықдиодты құрылғыларды жасау.Сонымен қатар, InAs гетерогенді InGaAs, InAsSb, InAsPSb және InNAsSb немесе AlGaSb супер тор құрылымын одан әрі қолдау үшін тамаша субстрат болып табылады.

Жоқ.	Элементтер	Стандартты спецификация
1	Өлшем	2"	3"	4"
2	Диаметрі мм	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Өсу әдісі	LEC	LEC	LEC
4	Өткізгіштік	P-типті/Zn-қоспаланған, N-типті/S-қоспаланған, қоспасыз
5	Бағдарлау	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Қалыңдығы мкм	500±25	600±25	800±25
7	Бағыт жазық мм	16±2	22±2	32±2
8	Сәйкестендіру Жазық мм	8±1	11±1	18±1
9	Ұтқырлық см2/Вс	60-300, ≥2000 немесе қажетінше
10	Тасымалдаушы концентрациясы см-3	(3-80)E17 немесе ≤5E16
11	TTV мкм макс	10	10	10
12	Садақ мкм макс	10	10	10
13	Бұзу мкм макс	15	15	15
14	Дислокацияның тығыздығы см-2 макс	1000	2000	5000
15	Беттік әрлеу	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Қаптама	Алюминий қапшықта жабылған жалғыз вафельді контейнер.

Сызықтық формула	InAs
Молекулалық салмақ	189,74
Кристалл құрылымы	Мырыш қоспасы
Сыртқы түрі	Сұр түсті кристалды қатты
Еру нүктесі	(936-942)°C
Қайнау нүктесі	Жоқ
Тығыздығы 300K	5,67 г/см³
Энергия алшақтығы	0,354 эВ
Меншікті кедергі	0,16 Ом-см
CAS нөмірі	1303-11-3
EC нөмірі	215-115-3

Индий арсениді InAsWestern Minmetals (SC) корпорациясында диаметрі 2" 3" және 4" (50 мм, 75 мм, 100 мм) өлшемдегі поликристалды кесек немесе монокристалды кесілген, ойылған, жылтыратылған немесе эпи-дайын пластиналар түрінде жеткізілуі мүмкін. p-типті, n-типті немесе қоспасыз өткізгіштік және <111> немесе <100> бағдар.Теңшелген спецификация бүкіл әлемдегі тұтынушыларымызға тамаша шешімге арналған.