Индий антимониді InSb

Сипаттама

Iнидий антимониді InSb, мырыш-бленд торлы құрылымы бар III-V топтағы кристалдық қосылыстар жартылай өткізгіші, 6N 7N жоғары тазалықтағы индий және сурьма элементтерімен синтезделеді және монокристалды VGF әдісімен немесе Liquid Incapsulated Czochralski LEC әдісімен көп аймақтық тазартылған полиотриядан өсіреді, оны кесіп, содан кейін вафлиге және блокқа жасауға болады.InSb - бөлме температурасында 0,17эВ тар жолақ аралығы, 1–5 мкм толқын ұзындығына жоғары сезімталдық және өте жоғары залдың қозғалғыштығы бар тікелей өтпелі жартылай өткізгіш.Western Minmetals (SC) корпорациясында индиум антимониді InSb n-типі, p-типі және жартылай оқшаулағыш өткізгіштігі диаметрі 1″ 2″ 3″ және 4” (30мм, 50мм, 75мм, 100мм) өлшемде ұсынылуы мүмкін, бағдары < 111> немесе <100> және кесілген, сырланған, оюланған және жылтыратылған вафли беті бар.Сондай-ақ, қоспасыз n-типі бар Dia.50-80 мм индий антимониді InSb нысанасы бар.Сонымен қатар поликристалды индий антимониді InSb ( мультикристалды InSb ) біркелкі емес кесек өлшемі немесе бос (15-40) x (40-80) мм және D30-80 мм дөңгелек жолақ мінсіз шешімге сұраныс бойынша теңшеледі.

Қолдану

Indium Antimonide InSb - жетілдірілген термобейнелеу шешімі, FLIR жүйесі, зал элементі және магнитке төзімділік әсерінің элементі, инфрақызыл бағыттаушы зымырандарды бағыттау жүйесі, жоғары сезімтал инфрақызыл фотодетектор сенсоры сияқты көптеген заманауи компоненттер мен құрылғыларды өндіруге арналған тамаша субстрат. , жоғары дәлдіктегі магниттік және айналмалы кедергі датчигі, фокалды жазық массивтер, сондай-ақ терагерц сәулелену көзі ретінде және инфрақызыл астрономиялық ғарыштық телескопта және т.б.

Қазір сұрау

Егжей

Тегтер

Техникалық спецификация

Индий антимониді

InSb

Индий антимонидті субстрат(InSb субстрат, InSb вафли) Western Minmetals (SC) корпорациясында n-түрі немесе p-түрі диаметрі 1" 2" 3" және 4" (30, 50, 75 және 100 мм), бағдары <111> немесе <100> және өлшемі бойынша ұсынылуы мүмкін. вафли беті сырланған, оюланған, жылтыратылған әрлеуі бар Индиум антимониді бір кристалды жолақ (InSb монокристалды жолақ) сұраныс бойынша жеткізілуі мүмкін.

Индий антимонидіPОликристалды (InSb Polycrystalline немесе мультикристалды InSb) біркелкі емес кесек өлшемі немесе бос (15-40)x(40-80)мм, сондай-ақ тамаша шешімге сұраныс бойынша теңшеледі.

Сонымен қатар, қоспасыз n-типті диаметрі 50-80 мм индий антимониді нысанасы (InSb нысанасы) бар.

Жоқ.	Элементтер	Стандартты спецификация
1	Индий антимонидті субстрат	2"	3"	4"
2	Диаметрі мм	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Өсу әдісі	LEC	LEC	LEC
4	Өткізгіштік	P-түрі/Zn,Gе қоспасы, N-типі/Te-қоспаланған, Қоспасыз
5	Бағдарлау	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Қалыңдығы мкм	500±25	600±25	800±25
7	Бағыт жазық мм	16±2	22±1	32,5±1
8	Сәйкестендіру Жазық мм	8±1	11±1	18±1
9	Ұтқырлық см2/Вс	1-7E5 Жоқ/қосылмаған， 3E5-2E4 N/Te-қоспаланған, 8-0,6E3 немесе ≤8E13 P/Ge қоспалары бар
10	Тасымалдаушы концентрациясы см-3	6E13-3E14 Жоқ/қосылмаған, 3E14-2E18 N/Te-қоспаланған, 1E14-9E17 немесе <1E14 P/Ge қоспалары бар
11	TTV мкм макс	15	15	15
12	Садақ мкм макс	15	15	15
13	Бұзу мкм макс	20	20	20
14	Дислокацияның тығыздығы см-2 макс	50	50	50
15	Беттік әрлеу	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Қаптама	Алюминий қапшықта жабылған жалғыз вафельді контейнер.

Жоқ.	Элементтер	Стандартты спецификация
Жоқ.	Элементтер	Iнидий антимониді поликристалды	Индий антимониді нысанасы
1	Өткізгіштік	Қоспасыз	Қоспасыз
2	Тасымалдаушы концентрациясы см^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Қозғалыс см²/Вс	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Өлшем	15-40х40-80 мм	D(50-80) мм
5	Қаптама	Композиттік алюминий қапшықта, сыртында картон қорапта

Сызықтық формула	InSb
Молекулалық салмақ	236,58
Кристалл құрылымы	Мырыш қоспасы
Сыртқы түрі	Қою сұр металл кристалдары
Еру нүктесі	527 °C
Қайнау нүктесі	Жоқ
Тығыздығы 300K	5,78 г/см³
Энергия алшақтығы	0,17 эВ
Меншікті кедергі	4E(-3) Ом-см
CAS нөмірі	1312-41-0
EC нөмірі	215-192-3

Индий антимониді InSbвафли көптеген заманауи компоненттер мен құрылғыларды өндіруге арналған тамаша субстрат болып табылады, мысалы, термиялық бейнелеудің жетілдірілген шешімі, FLIR жүйесі, холл элементі және магнитке төзімділік әсерінің элементі, инфрақызыл зымыранды бағыттау жүйесі, жоғары сезімтал инфрақызыл фотодетектор сенсоры, жоғары -дәл магниттік және айналмалы меншікті меншікті датчик, фокалды жазық массивтер, сонымен қатар терагерц сәулелену көзі ретінде және инфрақызыл астрономиялық ғарыштық телескопта және т.б.