Кадмий сульфиді

Сипаттама

Кадмий сульфиді CdS99,999% 5N немесе кадмий сульфиді 99,999% 5N тазалығы, молекулалық салмағы 144,476, балқу температурасы 980°С, қайнау температурасы 1750°C, тығыздығы 4,826г/см³, CAS 1306-23-6, сары-қоңыр суда ерімейтін қатты материал, Vertical Gradient Freeze VGF әдісімен өсірілген текше сфалерит немесе алтыбұрышты вурцит құрылымында кристалданатын жоғары таза кадмий және күкірт элементтерінің екілік қосылыстары.Бұл тамаша фотоөткізгіш материал болып табылады және кристалды өсіру әдістерінің арқасында үлкен бір кристалдық құрылымды және кадмий мен күкіртті аймақтық тазарту арқылы талап етілетін жоғары тазалығы бар үлкен монокристалдар пайда болды.Кристаллдар балқымадан жоғары температурада және жоғары қысымды жабдықта өсіріледі және сәтті қолданылатын ультрадыбыстық кесу әдістерімен пішінделеді.P-типті CdS кристалы ауыр мыс қоспалары арқылы өндірілген.

Қолданбалар

Кадмий сульфиді CdS 99,999% 5N әсіресе фотоэлектрлік элементтерде, фоторезисторларда, люминесцентті ұнтақтарда және фотоэлементтер, гамма детекторлар, күн генераторлары, фототүзеткіштер сияқты фотоэлектрлік элементтер мен құрылғыларды өндіруде және электронды бөлшектерде, медицинада, бояуларда қолданылады. Кадмий сульфиді - фотокаталитикалық белсенділігі бар жартылай өткізгіш материалдың бір түрі, ол жарық коррозиясының әсерін төмендете отырып, фотокаталитикалық сыйымдылықты арттыру үшін әртүрлі материалдармен композициялық материал құра алады, ол ультракүлгін детекторларды, пьезоэлектрлік кристалдарды, фоторезисторларды жасау үшін кеңінен қолданылады. , лазерлік құрылғылар және басқа инфрақызыл құрылғылар.

Қазір сұрау

Егжей

Тегтер

Техникалық спецификация

CDS

Кадмий сульфиді CdS 5N 99,999%Western Minmetals (SC) корпорациясында ұнтақ өлшемі -60меш, -80меш, кесек 1-20мм, кристалды дөңгелек пластиналар немесе субстрат 2 дюйм және шаршы дайындама 10×10 мм немесе тамаша шешімге жету үшін теңшелген сипаттама ретінде жеткізілуі мүмкін.

Тауар	Элементтер	Стандартты спецификациялар
Бір кристал Кадмий сульфиді CDS	Пішін	Субстрат	Бос
	Өлшем	D50,8 мм субстрат	10x10 мм шаршы
	Өткізгіштік	N-типті/P-қоспаланған немесе жартылай оқшаулағыш
	Бағдарлау	<001>	<001>
	Қалыңдық	500±15мкм	(250-300)±10
	Қарсылық	<5Ω-см	<5 немесе >10⁶Ω-см
	Инфрақызыл өткізгіштік	>71%	>71%
	Холл мобильділігі	2x10^-2см²/Вс	2x10^-2см²/Вс
	Қаптама	Ішінде жалғыз вафельді контейнер, сыртында картон қорап.
Поликристалды кадмий сульфиді CDS	Тазалық	5N 99,999% Мин
	Әрқайсысының максималды қоспасы PPM	Mg/Fe/Ni/Cu/Al/ Ca/Sn/Pb/Bi/Zn 1,0, Cr/Sb/Ag 0,5
	Өлшем	-60тор, -80тор ұнтақ, 1-20мм дұрыс емес кесек
	Қаптама	Сыртта картон қорапшасы бар композиттік алюминий қапшыққа салынған

Кадмий сульфиді CdS 99,999% 5Нәсіресе фотоэлектрлік элементтерде, фоторезисторларда, люминесцентті ұнтақтарда және фотоэлементтер, гамма детекторлар, күн генераторлары, фототүзеткіштер сияқты фотоэлектрлік элементтер мен құрылғыларды өндіруде және электронды бөліктерде, медицинада, бояуларда және т.б. қолданылады. Кадмий сульфиді Жарық коррозиясының әсерін азайта отырып, фотокаталитикалық сыйымдылықты арттыру үшін әртүрлі материалдармен композициялық материал құра алатын фотокаталитикалық белсенділігі бар жартылай өткізгіш материал түрі, ол ультракүлгін детекторларды, пьезоэлектрлік кристалдарды, фоторезисторларды, лазерлік құрылғыларды және басқа да инфрақызыл құрылғыларды жасау үшін кеңінен қолданылады. құрылғылар.