Индий фосфиді InP
Индий фосфиді монокристалыWestern Minmetals (SC) корпорациясында вафли (InP кристалды құймасы немесе вафли) диаметрі 2" 3" 4" және 6" (150 мм-ге дейін) өлшемдегі p-типті, n-типті және жартылай оқшаулағыш өткізгіштікпен ұсынылуы мүмкін, бағдары <111> немесе <100> және қалыңдығы 350-625um, беткі қабаты қашалған және жылтыратылған немесе Epi-дайын процесс.
Индий фосфиді Поликристалдынемесе D(60-75) x L(180-400) мм, 6E15 немесе 6E15-3E16 төмен тасымалдаушы концентрациясы бар 2,5-6,0 кг Мульти-кристалды құйма (InP поли құйма) бар.Тамаша шешімге қол жеткізу үшін сұраныс бойынша қол жетімді кез келген теңшелген спецификация.
| Жоқ. | Элементтер | Стандартты спецификация | ||
| 1 | Индий фосфиді монокристалы | 2" | 3" | 4" |
| 2 | Диаметрі мм | 50,8±0,5 | 76,2±0,5 | 100±0,5 |
| 3 | Өсу әдісі | VGF | VGF | VGF |
| 4 | Өткізгіштік | P/Zn-қоспаланған, N/(S-қоспаланған немесе қоспасыз), Жартылай оқшаулағыш | ||
| 5 | Бағдарлау | (100)±0,5°, (111)±0,5° | ||
| 6 | Қалыңдығы мкм | 350±25 | 600±25 | 600±25 |
| 7 | Бағыт жазық мм | 16±2 | 22±1 | 32,5±1 |
| 8 | Сәйкестендіру Жазық мм | 8±1 | 11±1 | 18±1 |
| 9 | Ұтқырлық см2/Вс | 50-70, >2000, (1,5-4)E3 | ||
| 10 | Тасымалдаушы концентрациясы см-3 | (0,6-6)E18, ≤3E16 | ||
| 11 | TTV мкм макс | 10 | 10 | 10 |
| 12 | Садақ мкм макс | 10 | 10 | 10 |
| 13 | Бұзу мкм макс | 15 | 15 | 15 |
| 14 | Дислокацияның тығыздығы см-2 макс | 500 | 1000 | 2000 |
| 15 | Беттік әрлеу | P/E, P/P | P/E, P/P | P/E, P/P |
| 16 | Қаптама | Алюминий композиттік қапшықта тығыздалған жалғыз вафельді контейнер. | ||
| Жоқ. | Элементтер | Стандартты спецификация |
| 1 | Индий фосфидінің құймасы | Поликристалды немесе көп кристалды құйма |
| 2 | Кристалл өлшемі | D(60-75) x L(180-400)мм |
| 3 | Кристалл құймасының салмағы | 2,5-6,0 кг |
| 4 | Ұтқырлық | ≥3500 см2/VS |
| 5 | Тасымалдаушы концентрациясы | ≤6E15 немесе 6E15-3E16 см-3 |
| 6 | Қаптама | Әрбір InP кристалды құймасы жабық пластик пакетте, бір картон қорапта 2-3 құйма. |
| Сызықтық формула | InP |
| Молекулалық салмақ | 145,79 |
| Кристалл құрылымы | Мырыш қоспасы |
| Сыртқы түрі | Кристалды |
| Еру нүктесі | 1062°C |
| Қайнау нүктесі | Жоқ |
| Тығыздығы 300K | 4,81 г/см3 |
| Энергия алшақтығы | 1,344 эВ |
| Меншікті кедергі | 8,6E7 Ом-см |
| CAS нөмірі | 22398-80-7 |
| EC нөмірі | 244-959-5 |
Индий фосфиді InP вафлиЭпитаксиалды индий-галий-арсенид (InGaAs) негізіндегі оптоэлектронды құрылғылар үшін субстрат ретінде оптоэлектрондық компоненттерді, жоғары қуатты және жоғары жиілікті электронды құрылғыларды өндіру үшін кеңінен қолданылады.Индиум фосфиді оптикалық талшықты байланыстардағы, микротолқынды қуат көздерінің құрылғыларында, микротолқынды күшейткіштер мен қақпа FET құрылғыларында, жоғары жылдамдықты модуляторлар мен фотодетекторларда, спутниктік навигацияда және т.б. үшін өте перспективалы жарық көздерін жасауда.
- Үлгі сұрау бойынша қол жетімді
- Курьер/әуе/теңіз арқылы жүктерді қауіпсіз жеткізу
- COA/COC сапа менеджменті
- Қауіпсіз және ыңғайлы орау
- БҰҰ стандартты орау сұрауы бойынша қол жетімді
- ISO9001:2015 сертификатталған
- CPT/CIP/FOB/CFR шарттары Incoterms 2010
- Икемді төлем шарттары T/TD/PL/C Қабылданады
- Толық өлшемді сатудан кейінгі қызметтер
- Заманауи қондырғы арқылы сапаны тексеру
- Rohs/REACH ережелерін бекіту
- Ақпаратты жарияламау туралы келісімдер NDA
- Қақтығыссыз пайдалы қазбалар саясаты
- Қоршаған ортаны басқару бойынша тұрақты шолу
- Әлеуметтік жауапкершілікті орындау
